基本情報技術者平成30年春期 午前問22

午前問22

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
  • 高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリに用いられる。
  • 紫外線で全データ一括消去できる。
  • 周期的にデータの再書込みが必要である。
  • ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
  • [この問題の出題歴]
  • 応用情報技術者 H28秋期 問21
  • 基本情報技術者 H20秋期 問16
  • 基本情報技術者 H23秋期 問25
  • 基本情報技術者 H26春期 問21

分類

テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ

正解

解説

フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリ です。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位の書込みを行う従来のEEPROMとは異なりブロック単位での書き換えを行います。

急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話,デジタルカメラ,デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。
  • SRAM(Static RAM)の説明です。
  • UV-EPROM(紫外線消去型EEPROM)の説明です。
  • DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
  • 正しい。フラッシュメモリの特徴です。
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