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基本情報技術者平成20年秋期 午前問16
午前問16
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
- [この問題の出題歴]
- 応用情報技術者 H28秋期 問21
- 基本情報技術者 H23秋期 問25
- 基本情報技術者 H26春期 問21
- 基本情報技術者 H30春期 問22
分類
テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ
正解
エ
解説
フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位の書込みを行う従来のEEPROMとは異なりブロック単位での書き換えを行います。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話,デジタルカメラ,デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話,デジタルカメラ,デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。
- SRAM(Static RAM)の説明です。
- UV-EPROM(紫外線消去型EEPROM)の説明です。
- DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
- 正しい。フラッシュメモリの特徴です。