平成20年秋期試験午前問題 問16
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フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
- 高速であり,キャッシュなどに用いられる。
- 紫外線で全内容の消去ができる。
- 周期的にデータの再書込みが必要である。
- ブロック単位で電気的に消去できる。
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フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位の書込みを行う従来のEEPROMとは異なりブロック単位での書き換えを行います。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話,デジタルカメラ,デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話,デジタルカメラ,デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。
- SRAM(Static RAM)の説明です。
- UV-EPROM(紫外線消去型EEPROM)の説明です。
- DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
- 正しい。フラッシュメモリの特徴です。