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基本情報技術者平成15年秋期 午前問16
問16
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
- 記憶内容を保つための再書込みが不要で，電気的に全部又は一部分を消して内容を書き直せるメモリである。
- 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
- データを速く読み出せるので，キャッシュメモリとしてよく用いられる。
- リフレッシュ動作が必要なメモリで，主記憶に広く使われる。
- [出題歴]
- 初級シスアド H15秋期 問1
- 初級シスアド H20秋期 問1
- 基本情報技術者 H18秋期 問16
分類
テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ
正解
ア
解説
フラッシュメモリ(flash memory)は、電気的に書き換え可能であり、電源供給がなくなっても記録されているデータが消えない半導体メモリです。
区分的にはEEPROMの一種で、ROM(Read Only Memory)に分類されますが、書き換えが可能なためROMでもRAMでもない存在として別に分類されている場合もあります。
USBメモリやSDカードなどが携帯電話、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及していて、小型で大容量・安価なことから以前のフロッピーディスクにかわるデバイスとして、手軽なデータの持ち運びにも使われています。
区分的にはEEPROMの一種で、ROM(Read Only Memory)に分類されますが、書き換えが可能なためROMでもRAMでもない存在として別に分類されている場合もあります。
USBメモリやSDカードなどが携帯電話、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及していて、小型で大容量・安価なことから以前のフロッピーディスクにかわるデバイスとして、手軽なデータの持ち運びにも使われています。
- 正しい。
- UV-EPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable ROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に内容を書き換えることのできるEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)に分類されます。
- SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリの読書き速度はDRAMに近いためキャッシュメモリとしての使用には適していません。
- DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリはリフレッシュ動作の必要がありません。