平成23年秋期試験午前問題 問25

午前試験免除制度対応!基本情報技術者試験のeラーニング【独習ゼミ】
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

  • 高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
  • 紫外線で全内容の消去ができる。
  • 周期的にデータの再書込みが必要である。
  • ブロック単位で電気的に消去できる。
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分野:テクノロジ系
中分類:コンピュータ構成要素
小分類:メモリ
フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位で書き換えを行う従来のEEPROMとは異なり、フラッシュメモリは数十Kバイトから数Mバイトのブロック単位で書き換えを行います。

急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれる形で、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤなどの記憶媒体として広く普及しています。
  • SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリは、HDDと比較すれば高速ですが、キャッシュメモリとして使用できるほど高速ではありません。
  • UV-EPROM(紫外線消去型EPROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に書換えを行います。
  • DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリは不揮発性メモリです。
  • 正しい。フラッシュメモリはブロック単位で書き換えを行います。

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