平成22年秋期試験午前問題 午前問26
問26解説へ
フラッシュメモリの説明として，適切なものはどれか。
- 書込み回数は無制限である。
- 書込み時は回路基板から外して，専用のROMライタで書き込まなければならない。
- 定期的にリフレッシュしないと，データが失われる。
- データの書換え時には，あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。
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- フラッシュメモリのメモリセルは、書換えを繰り返すことでデータ保持能力が低下していきます。したがって無限に書換えができるわけではなく、一般には、数万回から数百万回が書換え回数の上限とされています
- フラッシュメモリは電気的に書換えを行うので、書込み時にメモリを回路基板から外す必要はありません。USBメモリを思い浮かべればわかると思います。ちなみに、UV-EPROM(紫外線消去型のEPROM)では、メモリを回路基板から外して専用の装置で書込みや消去をしなければなりませんでした。
- 電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリなので、DRAMのようにリフレッシュ動作は必要ありません。
- 正しい。フラッシュメモリは、あらかじめブロック単位で前のデータを消去してから書込むことでデータの書換えを行います。
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