平成22年秋期試験問題 午前問26
問26解説へ
フラッシュメモリの説明として，適切なものはどれか。
- 書込み回数は無制限である。
- 書込み時は回路基板から外して，専用のROMライタで書き込まなければならない。
- 定期的にリフレッシュしないと，データが失われる。
- データの書換え時には，あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。
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解説
- フラッシュメモリのメモリセルは、書換えを繰り返すことでデータ保持能力が低下していきます。したがって無限に書換えができるわけではなく、一般には、数万回から数百万回が書換え回数の上限とされています
- フラッシュメモリは電気的に書換えを行うので、書込み時にメモリを回路基板から外す必要はありません。USBメモリを思い浮かべればわかると思います。なお、メモリを回路基板から外して専用の装置で書込みや消去をするものとしては、UV-EPROM(紫外線消去型EPROM)があります。
- フラッシュメモリは、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリなので、DRAMとは異なり、データを定期的に更新するリフレッシュ動作は不要です。
- 正しい。フラッシュメモリは、あらかじめブロック単位で前のデータを消去してから書込むことでデータの書換えを行います。
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