平成14年春期試験午前問題 問16

午前試験免除制度対応!基本情報技術者試験のeラーニング【独習ゼミ】
フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。

  • 1回だけ電気的に書込みができる。
  • 書込み,消去とも電気的に行い,消去単位は大きい。
  • 書込みは電気的に行い,消去は紫外線によって行う。
  • 情報の固定された漢字フォントなどが書き込まれる。
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分野:テクノロジ系
中分類:コンピュータ構成要素
小分類:メモリ
フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリ。フラッシュEEPROMまたはフラッシュROMとも言います。EEPROMの一種で書込み、消去とも電気的に行いますが、従来のEEPROMと違って1バイト単位の書き換えは出来ず、あらかじめブロック単位で消去してから書き込みを行うことが特徴です。
  • OTPROM(One Time Programmable ROM)の説明です。フラッシュメモリは何度でも書換えが可能です。
  • 正しい。書込み・読込みはバイト単位ではなくブロック単位で行われます。
  • 書込・消去可能 なEPROMの一種であるUV_EPROMの説明です。
  • 用途は特定されていません。

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